本发明公开了一种大功率LED封装结构及其制造方法，其结构包括有高散热基板、高导热材料、大功率LED芯片和电路层，所述高散热基板和高导热材料通过高导热粘合剂粘合为一体，所述高导热材料与大功率LED芯片接触的一面镀有金属膜层，所述大功率LED芯片用银浆粘合剂固定于金属膜层之上，所述大功率LED芯片周围设置电路层并通过导线连接，所述电路层上安放有荧光转换材料透镜。本发明通过在金刚石膜或类金刚石膜的高导热材料上分别设置大功率LED芯片和电路层并用导线连接，表面镀有钛银金属层，可快速有效地将芯片产生的热量从工作区导出并散发，使大功率LED芯片的稳定性和可靠性极大增强。本发明作为一种大功率LED封装结构及其制造方法可广泛应用于LED领域。