本实用新型公开了一种二维MXene功能化的InxGa1?xN纳米柱。该二维MXene功能化的InxGa1?xN纳米柱包括衬底、衬底上的MXene层、生长在MXene层上的InxGa1?xN纳米柱；其中0≤x≤1。本实用新型采用二维MXene作为衬底与InxGa1?xN纳米柱之间的功能层，不仅拓宽了衬底的选择范围，降低了成本；还有效降低了衬底与纳米柱之间的界面阻抗，有利于增强载流子输运性能，大幅度提高纳米柱的光电性能；同时避免了纳米柱在衬底上容易被刻蚀的缺点，提高其光电稳定性。总之，二维MXene功能化的InxGa1?xN纳米柱在光电解水制氢、光电探测器、太阳能电池中具有重要应用前景。