本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种可作为柔性场发射阴极材料的ＡｌｘＧａ１－ｘＮ纳米线阵列及其制法与应用。所述制备方法为：采用化学气相沉积法，以碳布为柔性衬底，ＡｌＣｌ３为铝源，ＧａＣｌ３为镓源，与氨气反应，生成ＡｌｘＧａ１－ｘＮ纳米线阵列。所得ＡｌｘＧａ１－ｘＮ纳米线阵列的形貌为准定向纳米线阵列，可应用于场发射显示技术领域。所述制备方法选用碳布作为衬底，具有优异的柔韧性和导电性；且可通过改变ＡｌＣｌ３和ＧａＣｌ３的蒸发温度调变蒸气分压，实现ＡｌｘＧａ１－ｘＮ纳米线阵列的组分调变。所述ＡｌｘＧａ１－ｘＮ纳米线阵列密度均一，长度统一，具有大的长径比和适中的密度，在场发射中有潜在的应用价值。