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一种蓝宝石衬底AlN外延层上高电子迁移率晶体管的生长方法
交易价格:¥2.5万
所属类型
发明专利
所属行业
H02-电力发电、变电、配电
所属国家
中国大陆
所属地域
广东省-广州市-天河区
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
201410295141.0
发明专利
中国大陆
一种蓝宝石衬底AlN外延层上高电子迁移率晶体管的生长方法
华南师范大学
已授权

本发明公开了一种蓝宝石衬底AlN外延层高电子迁移率晶体管生长方法,在蓝宝石衬底上依次生长高温AlN层、中温高Ⅴ-Ⅲ比GaN过渡层、高温GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN盖层。本发明方法实用蓝宝石作为衬底,降低成本,并采用金属有机物化学气相沉积在蓝宝石衬底上外延生长足够厚度的高温AlN层,阻止了蓝宝石衬底中氧的向上扩散,获得半绝缘GaN缓冲层;同时,利用了中温高Ⅴ-Ⅲ比GaN过渡层,降低了高温GaN缓冲层的刃位错密度,减少了对二维电子气的散射,提高二维电子气迁移率,从而实现高电子迁移率晶体管的制备。本发明做为一种蓝宝石衬底AlN外延层高电子迁移率晶体管生长方法可广泛应用于半导体技术领域。

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