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一种Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列及制备与应用
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
C01-无机化学
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2019104400379
2019-05-24
发明专利
一种Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列及制备与应用
华南理工大学
已授权

本发明属于太阳能电池领域,公开了一种Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列及制备与应用。将Zn(COOH)2的乙醇溶液旋涂在ITO基底表面,升温至200~300℃进行退火处理,得到波纹状ZnO晶种层,然后浸入Zn(NO3)2·6H2O和六亚甲基四胺的水溶液中,85~95℃温度下生长纳米棒,清洗干燥后得到负载有ZnO纳米棒阵列的ITO基底;将Bi2OS2粉末超声分散于水中,然后将Bi2OS2分散液滴加到ZnO纳米棒阵列上进行沉积,清洗干燥,得到产物。本发明的Bi2OS2沉积的波纹状ZnO纳米棒阵列可作为有机太阳能电池的电子传输层,并最终提高有机太阳能电池的短路电流和光电转换效率。

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