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一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
C04-水泥、混凝土、人造石、陶瓷、耐火材料
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2019103070831
2019-04-17
发明专利
一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法
华南理工大学
已授权

本发明公开了一种氧化硅基低介电常数微波介质陶瓷及制备方法,其化学组成的表达式为xZnO?yAl2O3?mSiO2?nSrTiO3,其中38mol%≤x≤64mol%,6mol%≤y≤9mol%,26mol%≤m≤50mol%,0≤n≤7mol%,x+y+m+n=1。其制备方法包括以下步骤:(1)陶瓷中间体粉料的制备;(2)xZnO?yAl2O3?mSiO2?nSrTiO3陶瓷的制备。本发明的微波介质陶瓷的介电常数为6.4~8.2,品质因数大于9,346GHz,谐振频率温度系数较小。本发明的微波介质陶瓷在与微波通讯领域相关的工业生产活动中具有巨大应用价值。

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