本发明公开了一种导电聚３，４?乙撑二氧噻吩复合膜的制备方法。本发明所述方法为在聚合物基材表面制作氧化剂膜后浸入３，４?乙撑二氧噻吩溶液，使３，４?乙撑二氧噻吩单体在聚合物基材表面氧化聚合，生成导电聚３，４?乙撑二氧噻吩复合膜。本发明的优点有：３，４?乙撑二氧噻吩在聚合物基材表面液相沉降聚合，所需设备简单，工艺调控方便，原料利用率高。易于采用连续加工工艺制作大面积、高品质导电聚３，４?乙撑二氧噻吩复合膜。