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基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H03-基本电子电路
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
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  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
201010186662.4
发明专利
基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器
黄沫
审查中

本发明实施例公开了一种基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器,本发明的方法是将两个过失真场效应管的栅极,分别通过隔直电容与各自对应的低噪声放大器输入管的漏极连接,从矢量角度分析,产生了可与低噪声放大器的放大电路的三阶交调系数矢量抵消的三阶交调系数矢量,实现了通过过失真方式提高所述低噪声放大器线性度的目的,更重要的是:该方法有效降低了过失真方法中在低噪声放大器输入管上形成的栅源寄生电容和栅漏寄生电容,从而减小了寄生电容降低放大器增益的的影响,保证了低噪声放大器噪声性能;同时,由于所述寄生电容的减少,其输入阻抗的变化不大,从而给所述低噪声放大器片外匹配电路的阻抗匹配带来方便。

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