本发明公开了一种低热应力芯片封装用焊锡球，包括核心和包覆在核心外部的熔化连接层，核心为钼核，熔化连接层为锡壳。钼核的直径为0.1mm‑0.7mm，所述锡壳的厚度为0.01mm‑0.05mm。低热应力芯片封装用焊锡球的制备方法，包括以下步骤，S1、制核，采用球化制粉或雾化制粉的方法将金属钼制备成直径为0.1mm‑0.7mm的钼球，形成钼核；S2、镀壳，采用电镀或热浸镀的方法在步骤S1中得到的钼核表面镀一层锡壳，锡壳的厚度为0.01mm‑0.05mm，得到焊锡球。本发明采用上述低热应力芯片封装用焊锡球，能够解决现有的焊锡球连接部位因产生热应力和变形导致连接部位易产生裂纹的问题。本发明还提供一种低热应力芯片封装用焊锡球的制备方法，制备工艺简单，生产成本低。